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历史招中标信息98209条
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| 硅片 | 25.0/片 | NA | 8寸硅片 | 长晶法:CZ , Type:P, 晶向:100 电阻(ohm-cm):1-50 厚度(um):725±25 TTV<10um Bow/Warp<30um 颗粒度:0.3um<10ea ; Oxide后未量测, 故无法管控与保证 氧化层厚度:2000nm +5% | 无人为因素造成损坏,可换货处理 | ||
| 硅片 | 25.0/片 | NA | 8寸硅片(TTV≤ 1 μm, Resistivity: 1–100 ohm﹒cm) | Growth Method: CZ Type / Dopant: P / Boron Diameter: 200 ± 0.5 mm Crystal Orientation: <100> 0 ± 1° Edge Profile: RT22° ± 1 Notch Orientation: 90-1° / +5° / 1-1.25mm, <110> ± 1° Resistivity: 1 – 100 ohm﹒cm Thickness: 725 ± 25 μm TTV: ≤ 1 μm Particles (≥0.2μm): ≤ 30 ea/wafer Front Surface: Polished Back Surface: Acid Etched Apperance: None 其余规格不拘 | 无人为因素造成损坏,可换货处理 | ||
| 硅片 | 150.0/片 | NA | 8寸双抛硅片 | 直径:200+/- 0.5mm P型(100) 阻值: 1~10 Ω-cm 厚度: 725±25um 平边: Notch型式 TTV:<10um Bow/Warp: <30um 颗粒:>0.3um@<10ea | 无人为因素造成损坏,可换货处理 | ||
| 硅片 | 10.0/片 | NA | 8寸单抛硅片 | 型式:P 晶向:100 摻雜：B 电阻(ohm-cm):1-100 厚度(um):725±25 TTV<5um Bow/Warp<30um 氧化层厚度：500nm+/-5% 颗粒度:0.3um<10ea | 无人为因素造成损坏,可换货处理 |
基本情况
上次中标企业: 十堰****公司
潜在竞争对手: 共
614
个, 其中与甲方合作关系紧密的
72 家
